开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

sujh0755 · 发表于 2022-6-29 12:12:21

sunjimmy 发表于 2012-12-14 01:06
GCNMOS 是用來改善 GGNMOS 無法 uniform turn-on 的缺點.
透過 Cgd 的 coupling 使的 GCNMOS 的gate電壓稍 ...

原理上GCNMOS需要更大的width，要怎么量化呢？
比如，0.18um，5V工艺。HBM希望达到2~4KV。
一般GGNMOS，400/0.6um，gate无电阻。
做成GCNMOS，500/0.6um，gate接10K电阻（poly），够用吗？
还是有什么计算公式？

PN_Allen · 发表于 2023-6-20 13:14:36

这一帖氛围真的好

txwd_0111 · 发表于 2023-6-22 14:55:28

感谢分享~

RafaelNadal · 发表于 2023-11-6 16:37:46

太棒了！受教了！

hijackerhaha · 发表于 2023-11-10 09:20:01

sh_0119 发表于 2012-11-9 20:48
个人观点如下：
esd结构分为两大类：

作为击穿型，GCNMOS的泄放能力是GGNMOS的好几倍，是因为GGNMOS的开启不均匀的问题限制吧，否则两者的it2应该是一样的，对吧？

hijackerhaha · 发表于 2023-11-10 10:15:59

ksg12 发表于 2018-1-18 20:38
很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resist ...

所以对于G/S之间串联电阻的GCNMOS（Cgd+R），我们只能希望Vt1降到最低（保证Vt1>VDD&Vh>VDD)，即寄生NPN能够最快的开启，这样只能就能保证大部分电流走下面，防止沟道被ESD电流冲击而烧毁，对吧？

hijackerhaha · 发表于 2023-11-10 10:20:00

ksg12 发表于 2018-1-18 20:38
很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resist ...

接上个问题，所以我们应该选择对应HCI效应最明显，即Isub最大时对应的Vgs，才能使Vt1降到最低？

Merlin1347 · 发表于 2024-2-21 17:41:53

通过这帖学到很多，mark一下留作以后反复学习

SMU001 · 发表于 2024-4-2 16:47:25

好帖

logitechabxy · 发表于 2024-5-8 18:28:07

mark一下有时间好好研究一下

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