开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

zhengqh123 · 发表于 2017-12-12 18:01:20

学到很多，谢谢各位大牛的详细讲解

刀疤李373 · 发表于 2017-12-17 16:03:11

谢谢分享

dongwb · 发表于 2018-1-15 16:01:16

感谢各位分析学习了

ksg12 · 发表于 2018-1-18 20:38:40

很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resister, 会改善很多，很多foundry推荐这种。gcnmos 就是为了解决uniform, 通过DG的耦合电容，降低Vt1，使得绝大多数的finger 进入snapbak, 但是，由于栅极电压升高，表面沟道会有电流，MOS要做好保护。
还有就是基于Rail 的RC+MOS的Clamp，这个是有MOS的沟道导通来泄放ESD的，好处就是可simulation仿真。GCNMOS玩的就是技巧，玩不好就弄巧成拙。

Yates · 发表于 2018-5-24 13:51:04

GGNMOS下寄生NPN是雪崩到衬底促使导通的，那GCNMOS涉及到gate电压，那这个寄生NPN是由于漏电流从沟道到衬底抬高沉底电势近而导通的，还是由于漏端雪崩到衬底促使NPN导通的呢

chrish2011 · 发表于 2018-5-25 18:43:09

学习了

seagullzq · 发表于 2018-9-4 18:24:38

感谢各位大牛解惑，学习了

白雪公仆 · 发表于 2018-10-23 16:25:23

赞，一个帖子砸出一堆高级专家。

江湖人92 · 发表于 2019-1-21 18:36:25

受教了！

monixiaoqiang · 发表于 2019-5-20 15:46:23

jian1712 发表于 2012-12-20 00:04
回复 10# sunjimmy
说的很不错，GCNMOS改善了GGNMOS的导通均匀性，同时使得Vt1可调，GCNNMOS主要还是靠Bre ...

请问您用GGNMOS pass 多少kv的系统esd？size有多大，谢谢指教！

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