开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

1060067079 · 发表于 2024-5-10 15:25:27

mark一下，学习了

我诗故我在 · 发表于 2024-11-6 13:50:57

good mark

cyc1818 · 发表于 2024-11-20 13:55:12

感谢讨论

孤独的自由 · 发表于 2024-12-4 09:20:37

GC的时间常数应该基于什么指标去设置呢？

18271571115 · 发表于 2025-1-15 13:00:52

Yury_Sun 发表于 2022-4-21 22:20
有个疑惑，GCNMOS在电路正常工作时，会不会在gate端耦合出正电压，使得NMOS沟道导通，从而产生VDD-VSS的漏 ...

高速switching时，会在gate端耦合出正电压，使得NMOS沟道导通。这时候RC取值不能太大，或者上电1us之后将Gate强拉到GND。

氪星MA · 发表于 2025-1-26 18:28:34

mark，学习了

菜鸟0号 · 发表于 2025-2-7 11:26:47

很棒！受教了

Dang147 · 发表于 2025-2-26 11:30:01

学习了，谢谢

Zelafund · 发表于 2025-2-26 15:27:52

mark一下，慢慢品鉴

qwqwasas1234 · 发表于 2025-3-2 20:43:55

Thanks a lot!

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] 开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点