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楼主: mark1th11

[求助] ESD power clamp 設計

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Dang147
发表于 2025-2-26 10:31:33 | 显示全部楼层
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发表于 2025-4-24 14:40:55 | 显示全部楼层
繁体字看的头痛，
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gcwen
发表于 2025-5-28 21:39:30 | 显示全部楼层
一般是图2， 因为电子的迁移率比空穴高，所以NMOS的电流泄放能力强于PMOS。。
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