个人对于高压、低压管子与hvt、lvt管子的一点想法

术道逸风 · 发表于 2018-6-15 15:38:12

请问SVT 的管子呢

lianaissmec · 发表于 2019-6-6 14:43:06

有关掺杂浓度，我感觉说反了，HVT的掺杂浓度应该更低才对，若HVT的掺杂浓度高的话，岂不是只要较小的电压以及较快的速度形成反型层了，管子就导通了，欢迎大家讨论，有说得不对的地方，请大家指出来

roundabout82 · 发表于 2022-9-5 10:55:07

这里所谓不同阈值晶体管，HVT，RVT，LVT指的是同一VDS电压的device，并不涉及高低压管子，所以也不涉及高中低压区域。

不同阈值的晶体管，只是理论上放在不同区域一致性会好一点。

自由落体的虹 · 发表于 2022-12-3 19:14:46

学习了

Andyou · 发表于 2022-12-6 09:01:58

学习了

nomatterwhat · 发表于 2022-12-23 15:54:24

学习学习

郭若鱼 · 发表于 2023-1-5 09:15:40

学习了，谢谢

Andyou · 发表于 2023-6-13 16:10:06

lianaissmec 发表于 2019-6-6 14:43
有关掺杂浓度，我感觉说反了，HVT的掺杂浓度应该更低才对，若HVT的掺杂浓度高的话，岂不是只要较小的电压以 ...

hvt的掺杂浓度更高，以nmos为例，nmos坐在pwell里这里的掺杂应该也保函pwell 这里的n沟道如果需要导通，那么加在栅端的电压就要高，因为栅端的电压会排斥多子空穴，吸收少子电子，要想排斥开浓度较高的空穴，那么需要的电压应该就要高。漏电流我不太清楚，我是反过来想的，管子在关闭的过程中时间稍长，那么电流的利用率就高高，相当于绿灯读秒时间长，过马路的行人就多，卡在一半的人就少（莫笑莫笑）。至于功率我是这样想的，因为高掺杂的载流子浓度高，电阻率低W=I2R 电阻小，w就小，功耗就低。不对的请多指正

Lcy_001 · 发表于 2023-6-13 16:26:36

学习了

BanKai · 发表于 2023-6-13 17:42:13

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