在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
楼主: anothermomo

[原创] 个人对于高压、低压管子与hvt、lvt管子的一点想法

[复制链接]
发表于 2017-4-27 13:37:06 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2017-5-14 00:43:23 | 显示全部楼层
有些回答没明白是针对哪个??谢谢
发表于 2017-5-15 11:46:30 | 显示全部楼层
谢谢楼主分享
发表于 2017-5-16 10:41:00 | 显示全部楼层
回复 1# anothermomo

请问同一颗芯片在下面情况的时候mask会增加吗?谢谢!1、仅有LVT device
2、同时有LVT和RVT device
发表于 2017-9-17 22:05:03 | 显示全部楼层
HVT  开启比较慢,漏电流小,功耗小(可通过掺杂重一点实现)

HVT 电压要求高所以开启慢, 漏电和功耗小怎么理解?
发表于 2017-12-29 14:40:18 | 显示全部楼层
发表于 2018-1-4 09:54:57 | 显示全部楼层
回复 25# 干饭一碗


   采用较厚的栅氧化层
发表于 2018-2-28 10:12:01 | 显示全部楼层
谢谢,学习了
发表于 2018-6-14 16:01:07 | 显示全部楼层
回复 25# 干饭一碗


    栅端电压增加时,由于HVT的阈值电压更高,所以达到阈值电平使它开启需要的时间更长。对于相同的栅端电压,相对于LVT,HVT的过驱动电压更低,因此漏电流更小,功耗就更低咯。
发表于 2018-6-14 16:02:13 | 显示全部楼层
请问楼主,HVT和LVT的蒙特卡洛性能,也就是失调,如何比较?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-6-2 20:47 , Processed in 0.117200 second(s), 5 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表