运放次级点疑问

20231725

1、运放次级的公式为gm*Cc/(Cgs*Cc+CL*Cc+Cgs*CL)。(电容为对地的寄生电容？)第二级输出gm为3m，寄生电容Vgs为0.6p，负载CL为1p，桥接Cc为2p，计算次级点为251M，实际次级点为90M，请问是什么原因造成的？
2、是否是图中AB处引入了低频极点造成的？A点处极点为1/(ro*C)数量级，但是其寄生很小，推算其极点依旧上百M，B处极点为gm/C量级，其极点应该也较高。
3、修改负载电容次级点是会明显变化的，说明还是第二级输出极点起作用，但是其极点位置与计算不符。

20231725

B点寄生电容较大，gm为361u，C为0.36p，其极点为160M，依旧不符合仿真结果。

Vawell

想想你这个次极点公式是忽略了哪些项得出来的，再重新计算。

20231725

   

Vawell 发表于 2025-6-23 16:06
想想你这个次极点公式是忽略了哪些项得出来的，再重新计算。

这个公式已经包含许多寄生了，主要是计算与仿真差太多了

迷路大脸猫

实际次级点为90M？
很难从波特图中得到准确的次级点的频率的，那个频段可能会受后面的极点的影响。
想要得到准确的、跟理论计算相符合的极点频率，得用pz仿真，然而很多工艺模型不支持pz仿真，因此需要自己用理想器件一个个替换mos管和寄生电容，此时pz结果就跟公式一样了。

20231725

   

迷路大脸猫 发表于 2025-6-23 16:59
实际次级点为90M？
很难从波特图中得到准确的次级点的频率的，那个频段可能会受后面的极点的影响。
想要得 ...

我算的次级点是根据相位裕度45计算，你说的对，45度点其实是第二级输出极点和B点的镜像极点共同作用，他们两个相差不大共同拉低相位。

20231725

上文我提到的次级点，我默认45度相位裕度为次级点，其实并不是这样，45度是由第二级输出极点和B点的镜像极点共同照成的。下面这个是我的计算图，有些许误差。