n阱电阻rnwaa使用问题

sakura_kiko

在使用smic 0.18μm工艺的时候使用到了n阱电阻，但在实际画版图的时候发现该电阻的MINUS和PLUS的端口均为M1到n well的通孔，即这两端接入的电压值决定了n well的偏置值（也有可能是我推测错了），因此我产生一些疑问：

1.平常我们都会将n well偏置到高电平，但在n阱电阻的使用中，不可避免地会使电阻偏置在各种电压值下，包括GND，这样的低电平偏置值是否会对电阻有影响，或者说n阱电阻是否可以正常接入接近GND的电压？n阱电阻是否可以当作普通电阻随意使用？
2.使用的rnwaa电阻是3t，即三端电阻，其衬底是否可认为就是n well，电阻b端是否需要统一接到VDD？此外我还用到了3t的多晶硅电阻rpposab，这种电阻的衬底是否可认为是p sub，电阻b端统一接到GND？
感谢各位的解答

石头遇见雪

你只要不正偏，NWELL和PSUB之间有一个寄生二极管，你只要保证这个二极管不正偏就行了，零偏或者反偏都是可以的

acrofoxAgain

N阱接电位不要低于挨着的PSUB或者PEPI就可以。
N阱偏置电压影响NW/PSUB结的耗尽层宽度，从而影响电阻的厚度，影响阻值，所以N阱电阻一般电压系数较大，需要小电压系数可改用多晶电阻。
N阱电阻的第3端自然就是PSUB，接最低电位。在有外延的工艺中，可能是PEPI，接不高于N阱的电位。

sakura_kiko

   

acrofoxAgain 发表于 2025-6-11 11:27
N阱接电位不要低于挨着的PSUB或者PEPI就可以。
N阱偏置电压影响NW/PSUB结的耗尽层宽度，从而影响电阻的厚度 ...

这样说的话，如果是要应用在对电阻值精度要求比较高的场合，是不是n阱电阻就不再适合了。另外目前在前仿真里n阱电阻是符合要求的，是否是因为前仿真中这种电压系数不会被考虑

acrofoxAgain

精度要求高的场合确实不宜用阱电阻。前仿如果用的是三端电阻，应该是考虑到了电压系数的。可以看看模型文件，是不是考虑了电压系数。如果对网表文件不太熟悉，也可以用仿真来判断。给电阻两端加固定的压差，但是扫一下共模，看电流是不是有变化。