求大佬帮分析MOS二极管加电容产生的偏置电压

yule666 · 发表于 2025-5-10 12:48:59

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如图，这种结构在哪里有资料？我仿真出来，产生的偏置电压过高，使MOS工作在截至区了。谢谢各位了。

imefox · 发表于 2025-5-10 16:34:31

图中的BIAS_NMOS应该是个稳压二极管，这样电路才能正常工作。设稳压二极管电压为Vz，那么Vz+Vgs1+Vgs10=VCC，再根据M1和M10的尺寸可以得到偏置电流，从而得到偏置电压。

yule666 · 发表于 2025-5-12 19:44:02

imefox 发表于 2025-5-10 16:34
图中的BIAS_NMOS应该是个稳压二极管，这样电路才能正常工作。设稳压二极管电压为Vz，那么Vz+Vgs1+Vgs10=VCC ...

谢谢大佬的回复，经过分析，最下面是native管子。

imefox · 发表于 2025-5-26 09:12:36

yule666 发表于 2025-5-12 19:44
谢谢大佬的回复，经过分析，最下面是native管子。

nnt管子倒是可以，因为VTH<0，此时Vgs=0，满足饱和条件，Vdsat=-VTH。于是，电流为I=un*Cox(W/L)VTH^2. 从而可以确定VGS1和VGS10，进而得到nnt管子的漏端电压：
VCC-VGS1-VGS10.

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