smic18mmbcd工艺下耐压的问题

jqjiksina · 发表于 2025-5-9 21:44:23

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本人模拟电路新手

，在做一个定时器电路的时候，管子的耐压击穿问题困扰了我许久，周转许久选择了bcd工艺。
如上为耐压警告，以及出现耐压问题的部分管子所在部分的电路结构，
鄙人想请问一下，在电源电压超过5V的情况下，即使是bcd工艺的ldmos管，也不可让栅极电压过高，对吗？
如果是这样的话，应该如何变更电路架构以实现相同功能呢？希望能得到各位大佬的解答！

灰之魔女 · 发表于 2025-5-10 10:15:48

vgs最高5V，超过了要用齐纳管钳位，vds可以根据管子耐压超过5V，电路架构找论文看

jqjiksina · 发表于 2025-5-12 18:31:16

灰之魔女发表于 2025-5-10 10:15
vgs最高5V，超过了要用齐纳管钳位，vds可以根据管子耐压超过5V，电路架构找论文看 ...

好的，学习了，如果您有时间的话，还想请教一下一个有关工艺库的问题，请问是否有耐压更高的工艺库能提供厚栅管呀？这样就不用担心栅源击穿的问题了。

灰之魔女 · 发表于 2025-5-12 22:02:36

jqjiksina 发表于 2025-5-12 18:31
好的，学习了，如果您有时间的话，还想请教一下一个有关工艺库的问题，请问是否有耐压更高的工艺库能提供 ...

刚参加工作的时候用过一个华润微的厚栅工艺，但是现在这条产线已经停产了，不知道现在还有没有代工厂做厚栅。

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