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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 带隙基准高阶补偿

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查看: 611|回复: 3

[求助] 带隙基准高阶补偿

发表于 2025-4-16 17:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

悬赏200资产未解决

大佬们，我想做这种结构带隙基准的高阶补偿，发现Q3的VEB大于Q1的VEB，INL的电流方向和原理图的相反，没法对VBE的高阶项进行补偿，这是为什么

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清波漪涟求

发表于 2025-4-16 18:55:13 | 显示全部楼层

同问，呜呜呜

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发表于 2025-4-16 21:03:58 | 显示全部楼层

可以分享一下paper吗？谢谢

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楼主| 发表于 2025-4-17 10:38:17 | 显示全部楼层

这是参考文章

Curvature-compensated_BiCMOS_bandgap_with_1-V_supply_voltage.pdf

133.91 KB, 下载次数: 20 , 下载积分: 资产 -1 信元, 下载支出 1 信元

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