关于容隔的问题，东部隔离电容器件相关

juvenescence

去年十月份东部更新了初版容隔工艺，由于是投片后才更新的工艺，投之前拿着东部给的rule自己造的隔离电容，更新PDK之后有了隔离电容器件并增加了几个HVCAP相关识别层，发现顶铝label在识别层内就识别不到了

另外还有一个问题，使用了隔离电容之后顶铝和次顶铝、次次顶铝会变厚，间距会拉开，通孔会变大，因为有不同的rule，所以不允许容隔项目用普通项目的via，但是东部却又说可以在同一个MPW的班车上同时造容隔项目和普通项目，他是怎么做到同一个wafer上做不同厚度的金属和不同厚度介质层呢？