目前有可能做出能响应ns级别输出负载切换的Capless LDO吗？

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最近在公司做SOC，公司想要把原来需要在外部挂电容的LDO换成不需要外挂电容的LDO，这样能够省成本，提高产品竞争力。

看了不少论文，也自己动手搭电路，发现如果输出负载切换速度不是很快（例如从20uA切换到20mA需要500ns），那实现capless LDO是完全可能的，输出drop低于100mV能够做到。
但是有几个LDO是用于给数字模块供电的，它的负载切换速度很快（从20uA切换到20mA仅仅1ns左右），并且要求输出电压波动低于10mV，目前感觉无法用capless的LDO去实现它，原因如下：
1.负载切换时间在1个ns，如果仅仅靠LDO环路本身来调节，就需要带宽达到1GHz，这个感觉无法实现（工艺是smic 90nm）
2.靠其他辅助电路去“sense”这个输出电压的波动，从而对输出点进行充电或者放电。这个方法看上去是可行的，但是实际上从“sense”到这个波动，到开始充电或者放电，这个过程早就超过几个ns了，过冲或者drop早就很大了。

请问各位大佬，有没有别的思路，做到能响应ns级别输出负载切换的Capless LDO么？看过挺多论文，也搭过不少，感觉都不是很靠谱。

yangleiqiang

感觉很难实现，10mv波动太小了，片内电容多大啊