折叠式共源共栅设计

asderfwefsd

                               
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本人新手小白尝试设计一个运放，想问下大家，tsmc18rf工艺，对于这个电路设计如下指标：
1、开环直流增益大于80dB

2、单位增益带宽大于等于500MHz

3、相位裕度大于60 degree

4、转换速率大于等于30 V/us

5、静态功耗小于20 mW

6、负载电容2pF

取gm/id=10，也就是VGS-VTH=0.2，算出来gm1/id=2*pi*CL*GBW=6.28mS，那么ID1=628uA，这个电流会不会太大了，这样会使得m1管的宽长比非常大，这样合理吗？可不可以改变m1的multiplier？或者这个电路满足不了指标，需要换别的结构？

asderfwefsd

gm1这里多写了个id

acging

GBW 500MHz本来就需要吃很大功耗，你功耗spec有20mW呢，这点电流完全可能的。