芯片反向提图电容的问题

蓝靛紫 · 发表于 2025-4-2 16:29:25

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根据芯片的照片，可以看出C35是一个MIM电容，C1946是一个poly电容，比较迷惑的是C10电容所在的位置，是否是一个poly电容和一个MIM电容重叠呢？这样设计有什么好处吗？

poly层、M1、M2、M3层图像分别如下。

110006 · 发表于 2025-4-2 16:38:00

上层金属MIM电容叠MOS电容，常见的版图设计，可以节省面积。

蒋赵威 · 发表于 2025-4-2 16:43:41

省面积

蓝靛紫 · 发表于 2025-4-2 18:05:37

110006 发表于 2025-4-2 16:38
上层金属MIM电容叠MOS电容，常见的版图设计，可以节省面积。

好的谢谢！

老干部金戈 · 发表于 2025-4-2 22:48:43

集成自举电路的 DC-DC 降压型转换器西电的博士论文 P79

蓝靛紫 · 发表于 2025-4-3 10:57:49

老干部金戈发表于 2025-4-2 22:48
集成自举电路的 DC-DC 降压型转换器西电的博士论文 P79

谢谢啦，我去找一下原文读下！

sutaotao2001 · 发表于 2025-4-7 03:14:20

Thanks

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