佬，使用的是virtuosoIC618版本0.18工艺文件，pmos反相器绘制版图DRC仿真运行错误

小菜鱼 · 发表于 2025-3-24 08:59:47

错误：LAT.3P { @ N-well pickup OD to PMOS space > 30um 修改n井和pmos有源区四周大于等于30um都试了还是错，呜呜呜能不能指点一下

fengrlove · 发表于 2025-3-24 09:06:01

没有pick up，画下nwell ring

miamiamia · 发表于 2025-3-24 09:07:24

你把layout截全

TCKG · 发表于 2025-3-24 09:12:51

guardring 到pmos 有源区要小于30

小菜鱼 · 发表于 2025-3-24 09:14:03

fengrlove 发表于 2025-3-24 09:06
没有pick up，画下nwell ring

画了就是mos这两个都是同样的问题我不是很能理解

miamiamia · 发表于 2025-3-24 09:16:22

小菜鱼发表于 2025-3-24 09:14
画了就是mos这两个都是同样的问题我不是很能理解

DNW把nmos包住干嘛？包P就行

juvenescence · 发表于 2025-3-24 09:48:30

miamiamia 发表于 2025-3-24 09:16
DNW把nmos包住干嘛？包P就行

话不能这么绝对，楼主可以看看是啥工艺，把器件的剖面图研究研究看看是不是少层次或者多层次了

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[求助] 佬，使用的是virtuosoIC618版本0.18工艺文件，pmos反相器绘制版图DRC仿真运行错误