在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
查看: 587|回复: 3

[讨论] 合封芯片HBM考虑

[复制链接]
发表于 2025-3-17 17:13:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
目前有接触到合封芯片需求,经验尚浅,所以希望有大佬可以解惑


比如两颗芯片合封,那合封芯片HBM路径是不是不需要特殊考虑,两颗芯片都是可以单独pass 2kV.
两颗芯片合封,那么两颗芯片的GND需要在封装上连起来吗?不连会不会有风险?
发表于 2025-3-17 17:49:43 | 显示全部楼层
QFN那种,我们常规操作就是GND全部打在框架上,短接一起了。ESD基本上2500V没啥问题
BGA的封装,一般GND就分开的,出ball的,

没有特别注意啥,直接就干了
发表于 2025-3-17 18:02:51 | 显示全部楼层
考虑走线阻抗就行 可能因为走线变长 会差一点 但是设计能力够的话 还是能一起pass 2KV(因为这个要求也不算高)
 楼主| 发表于 2025-3-17 18:05:57 | 显示全部楼层


   
wsmysyn 发表于 2025-3-17 17:49
QFN那种,我们常规操作就是GND全部打在框架上,短接一起了。ESD基本上2500V没啥问题
BGA的封装,一般GND就 ...


谢谢解答,目前遇到的框架不太好把GND短一起,希望没啥问题吧
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-5-25 07:01 , Processed in 0.034412 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表