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[讨论] BCD工艺库设计问题

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发表于 2025-3-12 15:56:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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BCD工艺库,当我使用其中的LDMOS时,确定管子的参数可以和CMOS一样吗,比如gm/id的方法
发表于 2025-3-13 15:54:40 | 显示全部楼层
一般不会拿LDMOS做精细的模拟设计吧
 楼主| 发表于 2025-3-13 21:31:04 | 显示全部楼层


   
kikyo_Sora 发表于 2025-3-13 15:54
一般不会拿LDMOS做精细的模拟设计吧


设计高压运放的,供电电压范围8-60V
发表于 2025-3-14 10:06:27 | 显示全部楼层


   
nm模拟生人 发表于 2025-3-13 21:31
设计高压运放的,供电电压范围8-60V


一般会用DEMOS吧,L可调的那种;LDMOS的Vth大,导通阻抗小,模拟性能较差,一般用作开关;
 楼主| 发表于 2025-3-14 15:22:55 | 显示全部楼层


   
kikyo_Sora 发表于 2025-3-14 10:06
一般会用DEMOS吧,L可调的那种;LDMOS的Vth大,导通阻抗小,模拟性能较差,一般用作开关; ...


好的,谢谢呀
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