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查看: 919|回复: 3

[求助] 采用深N阱(DNW)的模数混合版图中,隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢

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发表于 2025-2-28 16:04:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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参考网站:Using Deep N Wells in Analog Design - Planet Analog
发表于 2025-2-28 16:26:01 | 显示全部楼层
因为隔离出的pwell 是floating的
 楼主| 发表于 2025-3-2 16:54:12 | 显示全部楼层


   
光非 发表于 2025-2-28 16:26
因为隔离出的pwell 是floating的


感谢您的回复!我的疑问点实际上在于隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢(而不是模拟电源地)。我目前的想法是如果接模拟电源地,那么深N阱内的数字噪声会较大地影响到模拟电源;而如果接数字电源地,数字电源上的噪声对深N阱外的模拟电路影响相对小一些。但是一不知道这样想对不对,二不知道为什么是这样,还请大佬不吝赐教~
发表于 2025-3-4 15:33:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 光非 于 2025-3-4 15:35 编辑


   
JunjiangLiu 发表于 2025-3-2 16:54
感谢您的回复!我的疑问点实际上在于隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢(而不是模拟电源地)。我目前 ...


我看了下这个网站的描述内容,没有说VSS 就是片外的啊,而且不一定非要接到芯片的 Power/Ground啊
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