SRAM 六管单元仿真的一些疑问

Kasch

楼主比较小白，最近在研究SRAM的仿真，查了不少资料，有一个疑问，不少地方都有提到为了保证读取时节点数据不被改变，需要下拉管足够强，但是在写入的时候为了改数据，又要传输管足够强。有点搞不懂到底该谁强，才能在该改变数据的时候能改变，在不该改变数据的时候不改变呢....

andyfan

传统6T，需要下拉》传输》上拉的这种设计来满足你说的要求。

读的时候，通过下拉》传输来保证内部数据不被更改，写的时候，通过传输》上拉来保证能够更改。

先进工艺，最小的6T单元本身已经没有任何读写margin了，完全依赖外围读写辅助电路来完成读写。

peterlin2010

   

andyfan 发表于 2025-2-26 18:31
传统6T，需要下拉》传输》上拉的这种设计来满足你说的要求。

读的时候，通过下拉》传输来保证内部数据不被 ...

先进工艺，最小的6T单元本身已经没有任何读写margin了，完全依赖外围读写辅助电路来完成读写。

??


先进工艺  ? finfet  ?


snm  很小 ??  ?

SRAM的静态SNM和WNM的仿真
https://bbs.eetop.cn/thread-884304-2-1.html

Kasch

   

andyfan 发表于 2025-2-26 18:31
传统6T，需要下拉》传输》上拉的这种设计来满足你说的要求。

读的时候，通过下拉》传输来保证内部数据不被 ...

哇感谢大佬强弱问题明白了，顺带一...大佬说的先进工艺指的是？ 我现在仿的是SMIC 130和65 的体硅MOS 外围电路好像还是传统的译码器+灵敏放大器的结构

andyfan

   

Kasch 发表于 2025-2-27 10:03
哇感谢大佬强弱问题明白了，顺带一...大佬说的先进工艺指的是？ 我现在仿的是SMIC 130和65  ...

FINFET工艺，如下图所示，读稳定性，写的的MARGIN，读的速度，都几乎快没了。当然这是指CELL本身，而之前这些是通过调整PG/PD/PU的尺寸实现的。

另外这是指最高密度的CELL，如果对速度有要求的场合，是可以选1：2：2的CELL的。


。。