芯片生产工艺角对芯片ESD影响

zhangyang370281 · 发表于 2025-2-24 21:32:58

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芯片的IO_devie的生产的工艺角从TT切换到FF，结果部分信号管脚的HBM ESD从3KV失效降低到了2KV失效，有大佬可以谈谈芯片工艺角变化对芯片ESD性能影响吗？

lichen867 · 发表于 2025-2-25 09:54:35

估计你使用的是GGnmos的esd器件，二极管一般不会的。

zhangyang370281 · 发表于 2025-2-26 20:44:53

lichen867 发表于 2025-2-25 09:54
估计你使用的是GGnmos的esd器件，二极管一般不会的。

失效信号管脚的Primary ESD结构是pull_up/pull_down diode，不是GGNMOS结构

IC_Spark · 发表于 2025-4-1 16:51:55

zhangyang370281 发表于 2025-2-26 20:44
失效信号管脚的Primary ESD结构是pull_up/pull_down diode，不是GGNMOS结构

失效器件找到了吗，是不是clamp坏了，还是被保护器件坏了

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