LDO功率管NMOS还是PMOS的问题

ZYH99 · 发表于 2025-2-14 17:14:15

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书上看到这样一句话：PMOS做功率管时，PMOS作为共源极使用，栅漏电容Cgd会被密勒效应放大，从而增加了环路补偿的困难性。相比之下，NMOS作为功率管时，NMOS会作为源随器，在LDO中主要起缓冲器的作用，所以NMOS作为功率管时的补偿难度要小于PMOS作为功率管时的补偿难度。

不知道怎么理解

Halo94361 · 发表于 2025-2-14 17:56:04

PMOS功率管本身是作为一个共源管，它是有增益的，Cgd会因为功率管本身增益的密勒效应导致在功率管栅极出现一个比较低频的极点，这个极点很容易跟输出极点重叠导致环路不稳定。NMOS功率管本身是一个源跟随器，增益接近1，栅极的极点就没有被密勒效应推的更低，所以说更好补偿一些。

ZYH99 · 发表于 2025-2-15 11:12:06

Halo94361 发表于 2025-2-14 17:56
PMOS功率管本身是作为一个共源管，它是有增益的，Cgd会因为功率管本身增益的密勒效应导致在功率管栅极出现 ...

谢谢前辈，理解了

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