native nmos的的PSUB layer内有缘区只能存在一片，这是为什么呢？

Annie_kyohou · 发表于 2025-2-13 20:08:25

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如下图所示为smic中使用native的rule，它需要native管子要么源漏合并，要么不同native NMOS的PSUB拉开间距，这个rule存在的必要性是什么呢？有无大佬解释一下？（native NMOS做在PSUB上）

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智慧芯微电子 · 发表于 2025-2-14 14:29:14

native mos Vth~=0v，所以不同连接的native不能share AA，并且拉开一定距离。

Annie_kyohou · 发表于 2025-3-3 01:01:20

智慧芯微电子发表于 2025-2-14 14:29
native mos Vth~=0v，所以不同连接的native不能share AA，并且拉开一定距离。

在P sub上做的native nmos管，它的有源区掺杂和正常nmos的掺杂浓度有区别吗？我现在理解是只有他们衬底掺杂浓度有区别，然后导致在gate下的掺杂浓度很低，进而使vth~=0，那么，如果有存在两片AA的话，STI可以算作gate的话，那么这个寄生的native nmos算是默认打开了的，会有漏电的风险。

Annie_kyohou · 发表于 2025-3-3 01:02:07

Annie_kyohou 发表于 2025-3-3 01:01
在P sub上做的native nmos管，它的有源区掺杂和正常nmos的掺杂浓度有区别吗？我现在理解是只有他们衬底掺 ...

然后它们有源区掺杂应该是没有区别的

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