22nm工艺下，一个数字反相器的延时大概有多大啊？

orientview · 发表于 2025-1-11 08:42:02

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请教大家。

fengxuang · 发表于 2025-1-11 09:14:59

intel 16nm，pre layout下的两个inverter作buffer，FO1是10+ps，FO4是25+ps。我记得tsmc28nm比这高一些，但也差不了太多。至于22nm，应该也在这个量级吧

fengxuang · 发表于 2025-1-11 09:16:36

22nm没用过，不过intel 16nm的两级inv buffer，FO1是10ps，FO4是25+ps。

orientview · 发表于 2025-1-11 16:18:00

fengxuang 发表于 2025-1-11 09:14
intel 16nm，pre layout下的两个inverter作buffer，FO1是10+ps，FO4是25+ps。我记得tsmc28nm比这高一些，但 ...

谢谢，FO1和FO4，分别是什么意思啊？

fengxuang · 发表于 2025-1-12 00:18:15

orientview 发表于 2025-1-11 16:18
谢谢，FO1和FO4，分别是什么意思啊？

one FO4 is the delay of an inverter, driven by an inverter 4x smaller than itself.
Fanout of N，每个反相器后面带了N个自身尺寸的负载，就是FON

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[求助] 22nm工艺下，一个数字反相器的延时大概有多大啊？