v2cot架构buck电路带载掉压

UCAS-cwt

搭建了一个V2COT架构的BUCK型DCDC，仿真时没有问题，但流片测试发现，负载电流增大时，VOUT先不变，继续增大会导致VOUT下降但能稳定，再增大VOUT会导致VOUT突然降为0，求大佬指导

LYQ666

我也遇到过相似的问题，求大佬解惑

18351923586

FB在片内还是片外，FB有没有前馈电容，片外的FB的话，大概率是GND的NOISE太大，导致FB点节点冲高了，有前馈电容的话去掉会好一点，耦合路径是GND到FB的ESD DIO

UCAS-cwt

   

18351923586 发表于 2025-1-10 09:36
FB在片内还是片外，FB有没有前馈电容，片外的FB的话，大概率是GND的NOISE太大，导致FB点节点冲高了，有前馈 ...

非常感谢！
FB管脚确实是片外的，芯片内部做了一个GGNMOS作为ESD器件，有一个2.2nF的前馈电容，将前馈电容去掉后，增大输出电流，输出可以稳定，但最大负载时输出电压仍然会有50mV下降。

请问此现象是否可以理解为ESD器件的寄生结电容在与芯片内部的电路节点电容进行分压导致的？
按照这个方向推导，如果想要彻底解决这个问题，那么就需要把ESD器件的寄生电容做得非常小才可以，这样的话ESD防护性能会不会很差？怎样解决这个问题呢？

18351923586

   

UCAS-cwt 发表于 2025-1-10 16:33
非常感谢！
FB管脚确实是片外的，芯片内部做了一个GGNMOS作为ESD器件，有一个2.2nF的前馈电容，将前馈电 ...

路径是FB对地有个ESD，当PGND的噪声很大的时候，或通过PGND to AGND CUT传到AGND; 从AGND to FB DIO传到FB，因为FB没有很强的sink/souce能力，所以GND的noise就会累计，
1）如果是外部反馈可以通过减小反馈电阻！
2）GND到LX并联肖特基
3）降低GND的Noise去优化
4）考虑PGND到AGND加2个cut

xbw123

   

18351923586 发表于 2025-1-10 19:52
路径是FB对地有个ESD，当PGND的噪声很大的时候，或通过PGND to AGND CUT传到AGND; 从AGND to FB DIO传到F ...

您好，请问第四个措施里的cut指的是什么啊？ 谢谢

UCAS-cwt

   

18351923586 发表于 2025-1-10 19:52
路径是FB对地有个ESD，当PGND的噪声很大的时候，或通过PGND to AGND CUT传到AGND; 从AGND to FB DIO传到F ...

谢谢您的回复，请问CUT指的是什么呢？

UCAS-cwt

   

18351923586 发表于 2025-1-10 19:52
路径是FB对地有个ESD，当PGND的噪声很大的时候，或通过PGND to AGND CUT传到AGND; 从AGND to FB DIO传到F ...

请问FB管脚的ESD器件GGNMOS是不是不能直接连接到PGND，我们目前的设计是LDMOS不隔离，芯片的衬底PSUB是PGND，其他电路模块用深N阱隔离环进行隔离，FB管脚的GGNMOS直接连接在FB和PGND之间，这样是否会导致PGND的噪声直接通过GGNMMOS耦合到FB管脚？
如果想在PGND和AGND之间加cut，那么是否可以把FB的ESD连接到AGND，把AGND与PGND之间的双向二极管去掉，片上完全不做PGND与AGND的连接，这样是否能减少PGND到FB之间的噪声耦合？

18351923586

   

UCAS-cwt 发表于 2025-1-13 11:48
请问FB管脚的ESD器件GGNMOS是不是不能直接连接到PGND，我们目前的设计是LDMOS不隔离，芯片的衬底PSUB是PG ...

这是不行的 一般ESD环对AGND多一点，PGND太吵了，需要cut隔离下

UCAS-cwt

   

18351923586 发表于 2025-1-14 13:55
这是不行的 一般ESD环对AGND多一点，PGND太吵了，需要cut隔离下

前辈您好！我这几天试了去掉前馈电容并且在FB对RGND上加了100pF的电容，芯片拉载能力有所改善，是不是跟您说的那个原因有关系？
此外我还有两个问题：1.加cut有没有指标要求？比如PGND到AGND的电阻要到多少？
                                2.耦合噪声和频率是不是相关，是不是开关频率越高耦合噪声越大？