高压器件与低压器件的布局问题（standard cell）

Annie_kyohou · 发表于 2024-12-27 09:35:31

acrofoxAgain 发表于 2024-12-26 22:19
2.5V 3.3V也就是IO电压了，一般阱是一样的，漏不漏电取决于器件本身，跟阱是不是连在一起没什么关系。
...

具体来说是什么意思，能解释一下吗？

Visen_Chiang · 发表于 2024-12-27 16:26:02

没啥问题，拉开点距离就行。但是有些工艺JDV会不好看，但没啥问题。

Annie_kyohou · 发表于 2024-12-28 15:19:57

Visen_Chiang 发表于 2024-12-27 16:26
没啥问题，拉开点距离就行。但是有些工艺JDV会不好看，但没啥问题。

我也觉得，因为我使用的工艺中，高压器件和低压器件它们的耐压主要是在gate上，它们掺杂上我觉得是没有什么差别的

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