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求教下各位简单的MOS管型的Pierce晶振中有载品质因数如何求解?我有翻阅过相关论文,其中通过二端口等效模型将有载品质因数用Matlab求解出来,但我的疑惑是在等效的模型中通过一个电感并联在晶振两端使其完全工作在串联谐振频率,那么其中得到的QL表达式中就应该用串联谐振频率带入求解?并且如果利用电感抵消晶体封装电容的话,其晶体两端所挂载的负载电容不就失去了调节意义了吗?同时我通过仿真是得到了可以通过调整C1(C2)的大小来优化相位噪声,但是我Matlab中仿真出来的QL数值过大,已经超出了晶体本身的品质因数,这显然是不合理的,由于翻阅的众多论文都是在BJT管子上做的Matlab建模,所以想问问有没有佬利用MOS管(也就是等效为压控电流源的二端口模型)来进行过相关实验?一些参考论文我附在下面了,还望大家多多指教!或者有没有其余求解有载品质因数的方法呢 |
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