面试被问到n管自衬底怎么处理？请教什么是自衬底，版图中自衬底的管子是什么样的？

Vawell · 发表于 2024-12-4 15:50:11

本帖最后由 Vawell 于 2024-12-4 16:24 编辑

为了看看你知不知道deep nwell。psub一般是固定vss，nmos的bulk要做到别的电位，就需要一个isolated pwell，这个isolated pwell需要放在deep nwell里面

David.Z · 发表于 2024-12-4 15:52:06

同问，衬底就衬底呗，咋还整个自衬底出来。

maomao198477 · 发表于 2024-12-4 15:53:04

PMOS 独立电位了解不？N管一个道理

夏弥 · 发表于 2024-12-4 16:05:06

maomao198477 发表于 2024-12-4 15:53
PMOS 独立电位了解不？N管一个道理

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大佬，是不是就像NMOS的差分对管，衬底不一定接地，这就是自衬底吗

夏弥 · 发表于 2024-12-4 16:19:34

真心感谢各位大佬的帮助，祝大家工作顺利八方来财！

bing_bing · 发表于 2024-12-4 18:02:48

夏弥发表于 2024-12-4 16:05
大佬，是不是就像NMOS的差分对管，衬底不一定接地，这就是自衬底吗

很多时候这种情况也被称作热阱 (hot well)

이지은 · 发表于 2024-12-4 18:05:18

夏弥发表于 2024-12-4 16:05
大佬，是不是就像NMOS的差分对管，衬底不一定接地，这就是自衬底吗

sub端和自己的S端相连不是接地的就是自衬，升降压的地方会常碰到，但差分这里不是这个作用，接地也是可以的，看电路需求

Visen_Chiang · 发表于 2024-12-4 18:09:35

自衬底可以让器件所处的环境更干净，消除管子的衬偏效应，需要结合工艺的剖面图来选择适当的方式将自衬底阱与其他阱隔开。比如NWELL之间加PTAP，有深阱工艺的需要用到DNWELL隔离，高压工艺需要用HVPTAP将不同的DNWELL隔开，有一些工艺的DNWELL与其中的NWELL要求相同电位，都需要结合所使用工艺的design rule来选择相应方式处理。

MADARA · 发表于 2024-12-5 09:03:24

名如其名，自衬底就是自己有单独的衬底，我的DE告诉我是为了让MOS管阈值电压变化不大减小衬偏效应。默认PMOS 的B接到电源，NMOS接到地，自衬底就是NP的B端不接到电源地，根据工艺的不同选择正确的隔离方法，也要参考剖面图去选择正确的ISOring以及不同层次的区分。

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