HB180ENH3工艺问题

破晓来学习 · 发表于 2024-11-28 21:36:16

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HB180ENH3工艺，仿真这个ESD的耐压，电压都加到MV级别，也没有漏电流，不清楚为啥，请大神解答

破晓来学习 · 发表于 2024-11-28 21:38:27

另外就是仿真出来这两个器件的击穿电压是一样的，IV曲线完全重合，太奇怪了

破晓来学习 · 发表于 2024-12-2 08:54:09

工艺厂已回复原因，ESD器件的model仿真不准确

RISEIwu · 发表于 2024-12-13 13:46:13

兄弟们，你们用过这个HB180ENH3工艺的N阱电阻rndtfox_3t，看了下发现这个电阻W最小20um，不知道会不会面积大很多？

破晓来学习 · 发表于 2024-12-16 16:53:25

RISEIwu 发表于 2024-12-13 13:46
兄弟们，你们用过这个HB180ENH3工艺的N阱电阻rndtfox_3t，看了下发现这个电阻W最小20um，不知道会不会面积 ...

为什么会用到这个电阻

RISEIwu · 发表于 2024-12-17 16:08:32

破晓来学习发表于 2024-12-16 16:53
为什么会用到这个电阻

要用到N阱电阻

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[求助] HB180ENH3工艺问题