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[讨论] MOS管栅极多晶硅是非晶形式吗?

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发表于 2024-11-5 09:06:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

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拉扎维 模拟CMOS集成电路设计中。在Page 8 Chapter 2.1.2 MOSFET Structure中 注释到1Polysilicon is silicon in amorphous (non crystal) form.

MOS管栅极用多晶硅制造,它是非晶形似。但是多晶硅不是取向各异的晶体吗?

发表于 2024-11-5 09:45:23 | 显示全部楼层
对的呀,栅氧上长不出单晶的,单晶应该是需要晶核才能长成
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发表于 2024-11-5 09:52:44 | 显示全部楼层
都说了多晶硅,怎么又非晶呢?白马非马?
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发表于 2024-11-5 11:11:25 | 显示全部楼层
晶体分为三种,单晶、多晶、非晶,载流子迁移速度依次降低。这里写非晶,不太懂....有的工艺是先沉积非晶,加热让非晶转换为多晶
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发表于 2025-4-24 07:19:43 | 显示全部楼层
先进制程,用多晶硅形成Dual双栅结构,沉积的Metal Gate上主要是为了调节功函数,且一般都需要重参杂
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