MOS管栅极多晶硅是非晶形式吗？

valarism · 发表于 2024-11-5 09:06:57

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拉扎维模拟CMOS集成电路设计中。在Page 8 Chapter 2.1.2 MOSFET Structure中注释到1Polysilicon is silicon in amorphous (non crystal) form.

MOS管栅极用多晶硅制造，它是非晶形似。但是多晶硅不是取向各异的晶体吗？

522526tl · 发表于 2024-11-5 09:45:23

对的呀，栅氧上长不出单晶的，单晶应该是需要晶核才能长成

acrofoxAgain · 发表于 2024-11-5 09:52:44

都说了多晶硅，怎么又非晶呢？白马非马？

飞翔的鸟 · 发表于 2024-11-5 11:11:25

晶体分为三种，单晶、多晶、非晶，载流子迁移速度依次降低。这里写非晶，不太懂....有的工艺是先沉积非晶，加热让非晶转换为多晶

semiworker · 发表于 2025-4-24 07:19:43

先进制程，用多晶硅形成Dual双栅结构，沉积的Metal Gate上主要是为了调节功函数，且一般都需要重参杂

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[讨论] MOS管栅极多晶硅是非晶形式吗？

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