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[求助] epitaxy长完之后前层mark形变,photo无法对准该如何处理?

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发表于 2024-10-31 08:42:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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BCD工艺的NBL需要在EPI之前做好,做完再长EPI,但是长完EPI后前层的align mark会因为EPI制程而产生形变,造成下一道photo对准困难,或者无法对准而曝光暂停,请问大家有何解决方法?
发表于 2024-10-31 08:57:42 | 显示全部楼层
epi是所有地方都需要长吗?把mark区域block呢?
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发表于 2024-10-31 09:02:44 | 显示全部楼层


   
PN_Allen 发表于 2024-10-31 08:57
epi是所有地方都需要长吗?把mark区域block呢?


epi是高温生长,只能是整体一起生长的啊
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 楼主| 发表于 2024-11-7 17:12:38 | 显示全部楼层


   
PN_Allen 发表于 2024-10-31 08:57
epi是所有地方都需要长吗?把mark区域block呢?


EPI是整层长的,我所有的device相当于都做在EPI上
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