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楼主: LeoWei

<22nm Gate Last FinFET Process Flow>去水印质量天花板

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发表于 2024-12-7 13:05:52 | 显示全部楼层
Many thanks.
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发表于 2024-11-8 16:25:08 | 显示全部楼层
看看
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发表于 2024-11-8 12:51:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 ethanchung 于 2024-11-8 12:53 编辑

Because FinFET is designed for reducing leakage current, therefore the space between each Fin is equal to MOS. The overhead one side is as source and the other side is drain.

                               
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发表于 2024-11-8 10:55:13 | 显示全部楼层
xxlb lbhh
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发表于 2024-11-8 10:42:53 | 显示全部楼层
Thanks for sharing
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发表于 2024-11-8 05:53:51 | 显示全部楼层
Kan e kan
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