SMIC130nm 厚顶层金属工艺 IO DRC不通过

linxin2018

求助各位使用过SMIC 130nm 工艺的大佬，问题如下：

本人使用的工艺选项是1P8M_7Ic_1MTTc_ALPA_MIM15，即加厚厚顶层金属（支持电感器件）。此工艺下用到SMIC，发现工艺库提供的IO不能通过DRC检查。报错都是在IO上顶层金属间距、宽度不符合DRC规则，比如DRC规则要求厚的顶层金属间距>1.5um，但是IO的顶层金属只有0.9um间距！

有没有大佬遇到过类似的问题？

fengrlove

确认IO库是和你的PDK对应吗？

haydnzhang

也许可以忽略。问下工艺厂。

linxin2018

   

fengrlove 发表于 2024-9-12 20:49
确认IO库是和你的PDK对应吗？

我查了一下手册是对应的，而且代理那边说130nm就那么几种提供的IO

linxin2018

   

haydnzhang 发表于 2024-9-13 08:36
也许可以忽略。问下工艺厂。

您好，我这边是学校，只能通过代理问，代理说SMIC的IP都是经过验证的，可以waive，但是之前没试过，所以还是希望能找用过的人问问

linxin2018

   

haydnzhang 发表于 2024-9-13 08:36
也许可以忽略。问下工艺厂。

咨询了好多代理，回答不一样，有的说要自己改，自担风险，有的说可以waive就很慌

yylei

你的IO用的metal scheme肯定不是1MTTc的，但是你的设计用了MTTc，不匹配，肯定是要改的。

linxin2018

   

yylei 发表于 2024-9-17 23:44
你的IO用的metal scheme肯定不是1MTTc的，但是你的设计用了MTTc，不匹配，肯定是要改的。
...

最后还是选择自己改了

幸福喵喵教主

IO没有专门写rule吗

bing_bing

在资料库里面仔细找找看，IP交付一般会有waive list  看你关心的错在没在list里面。如果list里面没有，直接问fab