VIN到VSS的ESD用e-pch5，请问是S接PAD还是D接PAD

芯片小兵 · 发表于 2024-9-12 14:18:34

本帖最后由芯片小兵于 2024-9-12 14:34 编辑

ksj116 发表于 2024-9-12 14:08
是的。SAB 的作用就是镇流Drain端作用。当然，如果你希望Source端也加SAB，对器件抗ESD是有好处的，It2 ...

理解了，谢谢佬的指点。这个我想再追问一句，如果是nmos的，这个sab的镇流电阻是再pn结的drain端的n的地方。如果是pmos的画，sab形成的镇流电阻再pn结的p地方。这个是有差别的啊。pmos的情况下，sab的镇流电阻在np导通结的p端，还能起到镇流的作用吗？

ksj116 · 发表于 2024-9-12 16:58:19

镇流作用只发生在BJT的集电极。PNP的当然在PMOS的 Drain端。

ksj116 · 发表于 2024-9-12 16:59:20

如果你做过BCD 工艺，看看 HV Pdio layout 就了解了

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