VDD 到 IO 之间的ESD 器件选择

sjc1192001 · 发表于 2024-9-4 18:37:06

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看到的资料上， VDD到 IO 之间的ESD 器件都是选择 GDPMOS 或者 P+/NW diode, 为什么不用电流能力更强的 GGNMOS？这个是有什么讲究吗？求大神解惑

andyfan · 发表于 2024-9-4 20:31:47

GGNMOS是NMOS，要放在PWELL里面，你IO和VDD之间的保护，PW接哪里？

这种问题不需要问啊，稍微动点脑子就想到了。

fei_SH · 发表于 2024-9-5 09:38:46

ESD设计也遵循电路设计的最基本原则和工艺兼容原则。上管用N管得用Iso管。很多CMOS工艺里都没有提供Iso的N管。上P下N才能兼容工艺。

sjc1192001 · 发表于 2024-9-18 18:29:02

实际常用的BCD 工艺里面都有ISO 器件，但是FAB 建议的依然是用PMOS。

最近听一个大佬的讲座，大佬说是为了寄生电容的温度系数匹配

sjc1192001 · 发表于 2024-9-18 18:33:11

andyfan 发表于 2024-9-4 20:31
GGNMOS是NMOS，要放在PWELL里面，你IO和VDD之间的保护，PW接哪里？

这种问题不需要问啊，稍微动点脑子就想 ...

ISO GGNMOS 为什么不行？实际上我们有些特殊的设计只做IO 到 VDD的 ESD，以及VDD 到 VSS 的 Power clamp，都用ISO stack

sunnyliu · 发表于 2024-9-26 17:10:47

NMOS有明显的snapback，对LU不友好，容易翻车吧。

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