台积电TSMC的BCD工艺中DMOS的耐压问题

YYJ_304 · 发表于 2024-9-4 16:29:01

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各位前辈，请问TSMC（台积电）BCD工艺的高压管中，PMOS的Vgs能不能大于0呢？或者说对于PMOS的Vgs的大小限制是指|Vgs|<5V，还是说-5<Vgs<0V？我拿到的文档中只写了后者。请各位前辈指教

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nanke · 发表于 2024-9-5 09:59:00

你这个表格里的不是nmos吗？和你的文字描述不符啊。。。。。一般的pmos vgs都能大于0，不然怎么关断pmos，这是什么问题.......

YYJ_304 · 发表于 2024-9-5 10:51:59

nanke 发表于 2024-9-5 09:59
你这个表格里的不是nmos吗？和你的文字描述不符啊。。。。。一般的pmos vgs都能大于0，不然怎么关断pmos， ...

啊是因为PMOS的表格有水印，不方便露出来哈哈哈。所以我就用这个NMOS的图来侧面佐证，比如说这个NMOS的Vgs在图中并没有<0的情况出现。
因为我也是第一次用BCD工艺也是第一个正式的项目，会比较小心些，我原有的想法是关PMOS在阈值之内关断，但是也要保持Vth<Vgs<0的状态，感谢您的留言

tianxiong_14 · 发表于 2024-9-5 11:32:09

应该是对称的，即|Vgs|<5v，我们公司的工艺文档是这样标记的

YYJ_304 · 发表于 2024-9-5 12:32:19

tianxiong_14 发表于 2024-9-5 11:32
应该是对称的，即|Vgs|

好的，非常感谢！！！！！

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