高压BCD工艺求推荐

zikelee · 发表于 2024-8-26 18:29:41

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手头有一个新项目，需要60V耐压的full-isolated NMOS，需要提供该器件的BCD工艺，希望知道的朋友推荐一下。

eebbgao · 发表于 2024-8-27 08:49:45

本帖最后由 eebbgao 于 2024-8-27 08:57 编辑

东部180nm(8寸)、新唐350nm（6寸）、晶合集成180nm(12寸)、芯联180nm(12寸)都有相关工艺。上华G2S那套工艺应该也可满足，不过不知道目前成熟没有，21年还在调整器件。

zikelee · 发表于 2024-8-28 10:20:00

eebbgao 发表于 2024-8-27 08:49
东部180nm(8寸)、新唐350nm（6寸）、晶合集成180nm(12寸)、芯联180nm(12寸)都有相关工艺。上华G2S那套工艺 ...

十分感谢，我再仔细了解了，这个方向太重要了。

eebbgao · 发表于 2024-8-28 16:29:55

zikelee 发表于 2024-8-28 10:20
十分感谢，我再仔细了解了，这个方向太重要了。

不客气

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