带隙基准当中运放的偏置问题

JCZ2003

这是一个带隙基准电路，1.8V电源电压，运放是共源共栅五管结构，楼主对于电流源偏置VBN有点困惑，这个偏置电路下面有一个N管输入也是运放的正端输入，现在稍微改变偏置电路或者运放电流源管子的尺寸，VBN偏置电路就会从很小的电流跳到很大的电流，但是这两种状态都不是所需要的，运放的电流会从2u变成80u，想问一下应该怎么样调整呢，那个VBN偏置电路的N 管的作用是什么呢，电路图片在帖子中

WESHUO

运放电流随着温度T变化从2u变成80uA？运放电流是从带隙电路那里复制过来的吗？

JCZ2003

这个运放是带隙电路的一部分，我说的电流变化是指稍微改变VBN偏置电路或者运放的尾电流源管子的尺寸，流过运放的电流变化很大，也就是一直无法偏置的正确的DC工作点

tiaotiaotang404

是不是你的运放正负输入端和带隙连接反了，调换一下试试呢？

zmrzmr

   

WESHUO 发表于 2024-8-26 11:32
运放电流随着温度T变化从2u变成80uA？运放电流是从带隙电路那里复制过来的吗？ ...

大佬，我最近也在做带隙，对于带隙运放有几点疑惑，恰好看到了您的回答，不知大佬能否指点一二：

1：带隙中所用到的运放尾电流，电流是从带隙复制过来的吗，如果是，这样不会形成电流耦合吗；如果不是，电流应该怎么去做，难道是做个自偏置吗
2：在仿真带隙的蒙特卡洛的温度系数时，启动电路是否会对蒙卡结果有影响，我在没有添加启动电路的时候试着仿真一下蒙卡，发现温度系数完全变差，变到了几kppm，在想是不是跟启动电路有关呢
3：大佬，我仿真温度系数的工艺角时，发现在tt工艺角下的温漂最小，ss工艺角非常差，这是什么缘由呢，有什么改善方法或者思路吗，而且以tt工艺角为基准，tt700mv，ss工艺角能达到706mv，ff工艺角在694mv，这个误差是否过于大了，我去检查每个工艺角，管子都正常工作，不知是否有改善方法。
小弟是第一次做带隙，遇到诸多问题无法解答，希望大佬不吝赐教，在此十分感谢！

WESHUO

   

zmrzmr 发表于 2025-6-5 12:09
大佬，我最近也在做带隙，对于带隙运放有几点疑惑，恰好看到了您的回答，不知大佬能否指点一二：

1：带 ...

我也在等大佬解答你的三个问题。第一点，电流从带隙那里复制过来的方法，我在比较老的带隙电路看到过，这是有电路例子的；关于电流耦合就不清楚了，要说影响应该是温度->带隙->Ibias->AMP->带隙。影响指标如何我就不清楚，等待大佬解惑；带隙的偏置电流也有自偏置，不清楚两种偏置适用条件以及谁更加有优势。第二点，我没有仿真过蒙卡，因为系统没有带这部分功能。“没有添加启动的时候仿真蒙卡时变差，怀疑启动电路是否对电路有改善效果，是这个意思吗？”，一般启动电路在启动结束之后是不参与电路工作的，如果说有改善，那岂不是同时拥有启动和补偿作用。这个也等大佬解惑。第三点：如果电路参数没有变化的情况下，仿真不同工艺角有偏差是正常的，至于误差要看设计需求；工艺角问题可以找一些工艺角补偿电路，有些cmos参考电路因为工艺角偏差太大，加入一些trim电路进去改善。

1：带隙中所用到的运放尾电流，电流是从带隙复制过来的吗，如果是，这样不会形成电流耦合吗；如果不是，电流应该怎么去做，难道是做个自偏置吗 2：在仿真带隙的蒙特卡洛的温度系数时，启动电路是否会对蒙卡结果有影响，我在没有添加启动电路的时候试着仿真一下蒙卡，发现温度系数完全变差，变到了几kppm，在想是不是跟启动电路有关呢 3：大佬，我仿真温度系数的工艺角时，发现在tt工艺角下的温漂最小，ss工艺角非常差，这是什么缘由呢，有什么改善方法或者思路吗，而且以tt工艺角为基准，tt700mv，ss工艺角能达到706mv，ff工艺角在694mv，这个误差是否过于大了，我去检查每个工艺角，管子都正常工作，不知是否有改善方法。