在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
查看: 2050|回复: 9

[讨论] 请问一下,做差分对跟电流镜时候,S/D合起来好,还是不合起来好,纠结

[复制链接]
发表于 2024-8-23 14:16:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
请问一下,做差分对跟电流镜时候,S/D合起来好,还是不合起来好,纠结
发表于 2024-8-23 14:23:25 | 显示全部楼层
一般都要合的吧,abba形式。但之前看到过一个帖子(nmos没合并OD),电路那边考虑减小驱动电流Id,n管就没让合并。具体的要看电路要求。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-23 16:57:57 | 显示全部楼层
看电路怎么想,以电路要求为准
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-27 14:21:31 | 显示全部楼层
1.先确定所用工艺节点对S/D合并后产生影响是否对电路性能精度有影响:
1)工艺影响:二级效应差异
2)S/D寄生电容影响差异
3)工艺symbol 定义与model 定义 finger 与M 的差异
2.差分对需求与电流镜需求的差异
  1)差分对是差模相减 ,环境及寄生影响一致或按一致比例 是否合并看面积需求
  2)电流镜 看匹配需求,<1>一般需求电流镜阵列是关于源头需要比例匹配 分开比匹配值是高于合并 ;<2> 如匹配要求是绝对值接近理想值同时保持比例匹配的情况下 合并且做交叉 且处理相关的二级效应后 匹配度比分开的要高。

综上应先弄清楚匹配主体 ,已经匹配目标选择合适方案,到达性能和面积都达标的目的。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-27 14:25:52 | 显示全部楼层


   
白香 发表于 2024-8-23 14:23
一般都要合的吧,abba形式。但之前看到过一个帖子(nmos没合并OD),电路那边考虑减小驱动电流Id,n管就没 ...


差分对管 尽量避免做一维的 abba ,合并 在二级效应(lod wpe) 以及梯度差异 上很容易失配,分开也就是lod 有改善 其他的还是失配的。应做二维交叉共质心。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-27 15:03:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 白香 于 2024-8-27 15:04 编辑


   
存在感 发表于 2024-8-27 14:25
差分对管 尽量避免做一维的 abba ,合并 在二级效应(lod wpe) 以及梯度差异 上很容易失配,分开也就是lo ...



是的,我也画过nwell到有源区要over 10u才能相对消除wpe效应的工艺。
现在大多数的画法都是
DABBAD
DBAABD(D为dummy)

D可以减小lod的影响,如有多排的情况为减小wpe亦可以在上下加D。
至于ABBA还是ABAB其实跟工艺关系比较大,当然都要有dummy。梯度影响明显用ABBA,二级效应影响明显用ABAB。
理解有误还请大佬斧正。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-27 15:20:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 存在感 于 2024-8-27 15:23 编辑


   
白香 发表于 2024-8-27 15:03
是的,我也画过nwell到有源区要over 10u才能相对消除wpe效应的工艺。
现在大多数的画法都是
DABBAD


1 .多排 偶数排的可以不加gate 方向dummy
2.dummy 大小实际上影响well 边缘到有效器件沟道的距离,注意工艺需求的大小,10 um 有点夸张 注意变化曲线选择合适点。
3.  DABBAD    DAABBD  
     DBAABD    DBBAAD   
怎么选看是否合并以及合并后dummy 所接的是S 还是D 按一般 情况 接D 端影响是大于接S 端。
ABAB 这种适合做一维匹配,
二维 ABAB 不能合并
       BABA  
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-27 17:17:50 | 显示全部楼层


   
存在感 发表于 2024-8-27 15:20
1 .多排 偶数排的可以不加gate 方向dummy
2.dummy 大小实际上影响well 边缘到有效器件沟道的距离,注意工 ...


ABAB对于一维匹配也是不合适的,匹配的目的除了消除工艺带来的失配影响,更要消除芯片内部干扰带来的失配比如热效应又或者应力,ABAB方式当干扰源位于匹配器件一侧时失配率明显大于ABBA方式
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-28 09:36:36 | 显示全部楼层


   
tea_whz 发表于 2024-8-27 17:17
ABAB对于一维匹配也是不合适的,匹配的目的除了消除工艺带来的失配影响,更要消除芯片内部干扰带来的失配 ...


学习
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-8-28 10:25:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 存在感 于 2024-8-28 10:27 编辑


   
tea_whz 发表于 2024-8-27 17:17
ABAB对于一维匹配也是不合适的,匹配的目的除了消除工艺带来的失配影响,更要消除芯片内部干扰带来的失配 ...


1. 方法不能一刀切,需要先判断匹配的目标是什么,在什么工艺条件下实现,产品形态又是什么要求。
2. 先确定干扰源是啥?噪声?热源? 工艺制造相关应力?
3. 一般选择做一维差分对匹配 ,都是器件个数特别少(各两个) 或者是器件不多同时又布局形状约束。要不然不会去选一维的。
在这前提下面积分布小的情况下梯度差异的影响会显得没那么大,这个时候更应优先考虑所使用工艺的自身特性,如制造精度,又或者是二级效应等 引起的误差。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-7-10 15:24 , Processed in 0.050578 second(s), 6 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表