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andyfan 发表于 2024-7-29 18:21 还是有hybrid区域,就是把SOI拿掉,直接做到体硅上的器件,比如BIPOLAR。
yurunji 发表于 2024-7-30 09:46 我看也有在soi上做三极管的,如果这样的话,是不是就完全不需要guardring ...
菜鸟一号 发表于 2024-7-30 13:45 感觉可以拿掉,但是要有数据支撑。因为SOI不代表绝对不可能形成PNP结构
yurunji 发表于 2024-7-30 13:52 是的,目前还在研究工艺中,所以还不很确定,想要找有没有做过soi的实例来确认一下具体要怎么做 ...
andyfan 发表于 2024-7-30 15:57 我说的就是实际的例子啊,GF的22 FDSOI的三极管就是做在体硅上。
andyfan 发表于 2024-7-30 16:05 PDSOI还有可能,FDSOI基本没可能,不然就不是FULL DEPLETION了。
yurunji 发表于 2024-7-30 16:28 了解了,所以不考虑三极管的话正常的soi上的mos就可以拿掉guardring了吧,因为我之前没做过soi的东西,从c ...
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