MC仿真中一些困惑

蓝皮丝瓜

  在simc180nm工艺库中，同一个器件有两种类型，例如n33和n33_ckt,前者不带mismatch模型，而后者包含mismatch模型。在MC仿真的时候，需要将普通的器件换成这种带ckt后缀的器件进行仿真。但我有个疑问，在替换过程中，是要将所有的器件都替换后进行MC仿真，还是只替换一部分？
  在今年的集创赛芯海杯中需要做一个温度传感器，其在初赛报告中有一个前仿进行MC仿真的要求。这种不结合版图的mc仿真该怎么去做？因为一些器件可以通过版图的匹配来减少其mismatch，例如运放中的差分对管，和电流镜这些。这样的话该如何去保证仿真结果的精准？是不是在仿真中不用将这些mos管替换成带有ckt后缀的管子？
  还有所设计的温度传感器，其内部带有校准电路，可以将电阻和bjt的失配带来的误差进行校准，这样的话，做MC仿真的时候是不是就不用带上这电阻和bjt的失配模型，而只进行MOS失配的仿真？

狒狒的柯基

1. mc一定要把所有器件换成带mismatch模型的，如果不带的话默认器件的失配就是0。
2. 前仿本来就没有考虑寄生和版图匹配等带来的影响，能够考虑这些的时候版图就已经有了，做的就是后仿mc了。
3. 即便你有trim电路，你也需要通过仿真确定你trim的范围，也就是你需要trim的失配有多大。这肯定也是需要带着bjt和电阻失配跑一次才能知道的。其次trim并不是把失配完全归零的，只是误差被控制到了你能接受的精度范围，所以也不意味着你有trim电路就可以不跑这部分的失配噢。

一袭红袖丹青

   

狒狒的柯基 发表于 2024-6-24 16:51
1. mc一定要把所有器件换成带mismatch模型的，如果不带的话默认器件的失配就是0。
2. 前仿本来就没有考虑寄 ...

后仿一般不用做mc仿真吧