笔试题，小伙伴们帮忙看一下

learnkearn · 发表于 2024-6-12 21:18:53

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笔试题，小伙伴们帮忙分析下

breezerlxd · 发表于 2024-6-13 02:36:18

1) vout1 << 1/2Vdd 2) vout2 > vout1 3) yes, the top device Source with the pwell basically forms forward biased diode

breezerlxd · 发表于 2024-6-13 02:37:14

1) vout1 << 1/2Vdd 2) vout2 > vout1 3) yes, the top device Source with the pwell basically forms forward biased diode

chf1 · 发表于 2024-6-13 08:43:38

breezerlxd 发表于 2024-6-13 02:36
1) vout1 vout1 3) yes, the top device Source with the pwell basically forms forward biased diode

上面管子有可能工作在截止区或者饱和区吧？

xuwenwei · 发表于 2024-6-13 08:49:01

这些题目考虑的应该是衬偏效应，即vth和vsb的关系，从而改变两个管子的导通电流，你自己分析，举个例子，下面给的NMOS，vsb=0，vth是一个值，对于上面NMOS来说，vsb越大，vth越大，第三个例子要注意PN接会不会正偏导致漏电

binnq · 发表于 2024-6-18 10:52:11

感谢

binnq · 发表于 2024-6-21 15:33:13

感谢

dolamos · 发表于 2024-9-18 10:02:35

kan kan

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