回片测试问题

WWZZK

流片回来的是一颗物联网通讯芯片，通信通过上位机的两根总线经过一个全桥整流电路进入芯片，所以芯片的vss和上位机的地有一个二极管的压降，大概600mV左右。

上位机的两根总线是差分的，芯片的TX部分是回1，是通过拉高电平的那一根总线，产生大电流去回1。
问题描述：在芯片进行回数的时候，片内的Bg模块输出会掉到0，回数结束后又会恢复正常，想请问下大概是什么原因造成的？
补充：bg的结构就是电压模式的一阶补偿结构，没有其他高阶补偿。

Shiroihane

BG不会没做隔离吧

WZY9806

   

Shiroihane 发表于 2024-5-11 10:34
BG不会没做隔离吧

请问是外面加一圈guard ring吗，还是bg的地要单独分开

Shiroihane

   

WZY9806 发表于 2024-5-12 09:43
请问是外面加一圈guard ring吗，还是bg的地要单独分开

BG输出一般得接个Buf或LDO带载，防止后续电路影响到BG

WZY9806

   

Shiroihane 发表于 2024-5-13 09:21
BG输出一般得接个Buf或LDO带载，防止后续电路影响到BG

Bg的输出是有buffer的

Shiroihane

   

WZY9806 发表于 2024-5-13 18:28
Bg的输出是有buffer的

那就注意下BUF的动态稳定性，我之前遇到过正常工作状态下BUF相位裕度够用，但是负载极限变换时相位裕度陡降的情况，可供参考。