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[求助] GaN HEMT的雪崩曲线电流没有反向过程是结构的问题还是模型选得不对？

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开开在努力
发表于 2024-4-10 11:55:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏100资产未解决
求路过的大佬解答

用sentaurus TCAD仿GaN HEMT的UIS过程，出来的曲线和SiC MOSFET的雪崩过程类似，是结构有问题还是sdevice中的模型用得不对？

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