TSMC的lvt_mos,hvt_mos仿真问题

black6655 · 发表于 2024-3-6 18:57:05

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

请问lvt_mos,hvt_mos和普通mos之类不同类型的管子，在跑角条件的时候，有必要把角条件分开仿真吗？这样光mos的角条件就有16组了。另外还有存在od33之类的管子也是同样的问题。我记得之前TSMC好像会给管子分组，有些管子的角条件会同时往同一个方向偏，但是我找不到相应的文档了，求大神告知。

black6655 · 发表于 2024-3-7 09:10:43

求助，顶一下

kanchiam · 发表于 2024-3-7 09:40:44

如果你的電路是用到這麼多的MOS
當然所有的coner都要跑到
所以在analog design
盡量從頭到尾都只用一種元件

black6655 · 发表于 2024-3-7 10:23:04

kanchiam 发表于 2024-3-7 09:40
如果你的電路是用到這麼多的MOS
當然所有的coner都要跑到
所以在analog design

意思是说这两种mos的角条件不是同步的吗？不会ff的时候都是ff？

kanchiam · 发表于 2024-3-11 16:43:09

有些時候是不同步的
因為lvt 與hvt是利用不同的layer去doping
調整不同的多數載子濃度
lvt 與hvt Vth調整幾乎可以看成獨立事件

black6655 · 发表于 2024-3-12 16:16:38

kanchiam 发表于 2024-3-11 16:43
有些時候是不同步的
因為lvt 與hvt是利用不同的layer去doping
調整不同的多數載子濃度

了解，感谢！

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] TSMC的lvt_mos,hvt_mos仿真问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

浏览过的版块