从工艺上看，高压管子和低压管子有什么区别

Andyou · 发表于 2024-2-7 10:31:55

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从工艺上看，高压管子和低压管子的区别是什么，最近遇到5v的pdio和5v的pmos 因为pmos多了一层高压nwell，而pdio因为没有这层，导致pdio的nwell和pmos的nwell有一个非常大的space 这些器件衬底电位都一样了，为什么还要隔得那么远呢？会不会是因为pdio是fab早年比较成熟的管子，所以他们不愿意再做尝试了，还是说在工艺上实现比较困难。希望大佬能指点一下

ykk1128 · 发表于 2024-2-7 13:36:03

以P-SUB 看N-well 上長P+Drain and Source , N-well 對Drain ,Source要有足夠的Space不然會漏電.而Pdio只有P-/N+Diode結構

吴小呆 · 发表于 2024-2-20 09:58:20

ykk1128 发表于 2024-2-7 13:36
以P-SUB 看N-well 上長P+Drain and Source , N-well 對Drain ,Source要有足夠的Space不然會漏電.而Pdio只有 ...

可以详细说说吗？有点迷糊，感谢分享

浓墨飞扬 · 发表于 2024-6-14 11:21:00

漏区有轻掺杂的漂移区，大的vds通过漂移区去耐压

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