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[求助] Flash的read 和fast read命令,到底有什么区别?看起来只是多了个dummy cycle而已。

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发表于 2024-1-18 23:22:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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从手册的时序图来看,fast read只是多了dummy cycle而已,但其他东西却没有任何改变。比如opcode、address、data还是单线的,没有改变。

所以,为什么设计fast read这种Command呢?从时序图来看,反而把时间拖慢了。


发表于 2024-1-19 09:30:08 | 显示全部楼层
读取速度不一样,fast read命令后面的时钟速率可以更高。
发表于 2024-1-19 09:46:53 | 显示全部楼层
地址最后2bit是byte地址,通常存储器从接收倒数第3个bit开始内部read,考虑到内部tacc及往IO的传输延迟一般需要20+ns,sclk超过一定频率就需要添加dummy,才能保证数据准确输出;
03H read通常频率较低,比如sclk 50M,2个sclk,40ns,不增加dummy就可以在sclk地址输入最后一个下降沿输出数据;
0BH read通常频率较高,比如sclk 1000M,2个sclk,20ns,无法在sclk地址输入最后一个下降沿输出数据,所以增加dummy;
 楼主| 发表于 2024-1-19 12:32:38 来自手机 | 显示全部楼层


   
sprlove 发表于 2024-1-19 09:46
地址最后2bit是byte地址,通常存储器从接收倒数第3个bit开始内部read,考虑到内部tacc及往IO的传输延迟一般 ...


感谢大佬回答,理解了
发表于 2025-3-5 17:34:06 | 显示全部楼层


   
sprlove 发表于 2024-1-19 09:46
地址最后2bit是byte地址,通常存储器从接收倒数第3个bit开始内部read,考虑到内部tacc及往IO的传输延迟一般 ...


看了您上面的描述,想请教一下使用normal read 或 fast read 时,tCLQV是否是不同的,我看到大部分flash芯片的文档中 tCLQV 的max值为6~8ns,并且只给了max值。
发表于 2025-3-6 10:52:19 | 显示全部楼层
read只支持单线,fast read最高支持四线
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