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[资料] Case of Photo mask defects induced wafer lithography defect

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发表于 2023-11-29 17:16:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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CD defects of 100nm pattern space (corresponds to 25nm) of photomask induced wafer lithography defects.

Pattern defects of Photo Mask cause wafer litho defect.jpg
Wafer Fabs of 65nm technology or below must pay the effective investment to protect their expensive and presice tool-photo mask for high production yields.
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