串联mos管的等效gm

Empty_1313 · 发表于 2023-10-7 10:07:03

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像这种多个管子串联的mos等效gm怎么考虑?

勿忘心安 · 发表于 2023-10-7 11:05:56

串联相当于管子的L相加，并联相当于管子的W相加

Empty_1313 · 发表于 2023-10-7 13:44:45

勿忘心安发表于 2023-10-7 11:05
串联相当于管子的L相加，并联相当于管子的W相加

w/l只是管子的参数，dc仿真时没办法直接看到gm。

Twonej · 发表于 2023-10-7 15:26:50

self-cascode结构嘛，等效gm应该就等于共源管的gm，cascode结构增大的也是gain而不是gm嘛

Empty_1313 · 发表于 2023-10-7 16:28:32

Twonej 发表于 2023-10-7 15:26
self-cascode结构嘛，等效gm应该就等于共源管的gm，cascode结构增大的也是gain而不是gm嘛 ...

说的对哦，感谢大佬答疑

Li_12 · 发表于 2023-10-7 16:40:30

等效的n*L管子和最下面的那个管子id和VGS都是一致的，从gm定义来说是完全一样的；不同的是VDS和工作区的判定吧，最下面的管子到不了饱和区，而等效的管子是可以的。

hebut_wolf · 发表于 2023-10-8 10:40:02

我是这样计算的：
最上面那个饱和区的nmos跨导记为gm，下面所有管子的ron 记为Rs；利用源极退化Gm公式
Gm=gm1/(1+gm*Rs)
ps:Rs可以通过V/I快速得到
我对比过合成一个管子的情况，计算结果是正确的。

best wishes！

Empty_1313 · 发表于 2023-10-9 11:47:11

Li_12 发表于 2023-10-7 16:40
等效的n*L管子和最下面的那个管子id和VGS都是一致的，从gm定义来说是完全一样的；不同的是VDS和工作区的判 ...

感谢指点，和4楼的方法一样，应该是正解

传说中的干饭王 · 发表于 2024-3-28 15:41:16

学习了！

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