关于高压BCD工艺的一点疑惑

onlyzjj

本人高压工艺小白
我看HH工艺文档里面有两种LDMOS，一种是for analog的，这种管子S和B是分开的；一种是for switch的，这种管子S和B是合在一块的。
如下图所示，不是很清楚在用的时候主要的区别是什么。还有for analog的管子为什么要把S和B分开？

for analog

                               
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for switch

                               
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zcyg542

一种对称SD可换，一种传统DMOS吧

onlyzjj

   

zcyg542 发表于 2023-7-28 13:44
一种对称SD可换，一种传统DMOS吧

感谢你的回答，还是地方不理解
对于for analog的来说，其实它是传统的DMOS。对于for switch而言，那SD可换什么意思，不是只有D端耐高压吗？

joker0564

sb合起来面积倒是小了不少

ydj863

一种对称，一种非对称。
对称Vsd，Vsb都可以耐高压，非对称只有Vsd能耐高压

onlyzjj

   

joker0564 发表于 2023-7-28 14:58
sb合起来面积倒是小了不少

for switch 的管子确实面积小

ericking0

两个事情：
1. 有的S/B分开的S/B之间可以不同电平，扛个几V的电压；
2. DEMOS和LDMOS，一般情况DEMOS对于非开关应用，比如直接用高压管怼电流镜这种，有电流，但是vds又大的情况下；DEMOS一般比LDMOS更可靠一点；

onlyzjj

   

ydj863 发表于 2023-7-28 15:11
一种对称，一种非对称。
对称Vsd，Vsb都可以耐高压，非对称只有Vsd能耐高压 ...

理解了，感谢

onlyzjj

   

ericking0 发表于 2023-7-28 15:53
两个事情：
1. 有的S/B分开的S/B之间可以不同电平，扛个几V的电压；
2. DEMOS和LDMOS，一般情况DEMOS对于非 ...

十分感谢

david_reg

另外，通常for switch的沟道长度L值是固定的最小值，无法修改；for analog的L值可以调整，以适应电路的需求；